Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 331 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT014N08NM5ATMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 273-2792
- 制造商零件编号:
- IPT014N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2792
- 制造商零件编号:
- IPT014N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 331A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 160nC | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 331A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 160nC | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
这款 Infineon MOSFET 是一款 N 沟道 80 V MOSFET，针对电池供电应用进行了优化。针对目标应用，符合 JEDEC 标准。这款 MOSFET 完全符合 JEDEC 工业应用标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
出色的栅极电荷
极低导通电阻
100% 通过雪崩测试