Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=169 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

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RS 库存编号:
273-2793
制造商零件编号:
IPT029N08N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

169A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PG-HSOF-8

系列

IPT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.9mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

167W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

汽车标准

否

这种 Infineon MOSFET 是 N 沟道 80 V MOSFET，它是高频开关和同步整流的理想选择。针对目标应用，符合 JEDEC 标准。这款 MOSFET 完全符合 JEDEC 工业应用标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。

符合 RoHS 标准

无铅引线电镀

出色的栅极电荷

极低导通电阻

100% 通过雪崩测试

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