Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=0.82 V, 23 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT60R022S7XTMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 273-2795
- 制造商零件编号:
- IPT60R022S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥95,968.00
(不含税)
¥108,444.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB47.984 | RMB95,968.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2795
- 制造商零件编号:
- IPT60R022S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 0.82V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | IPT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 390W | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 23A | ||
最大漏源电压 Vd 0.82V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 IPT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 390W | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一种 600V 的 CoolMOS SJ S7 功率器件。它为低频开关应用带来了最佳性价比。CoolMOS S7 为 HV SJ MOSFET 实现了最低 Rdson 值，能效显著提高。CoolMOS S7 针对静态开关和高电流应用进行了优化。它是固态继电器和断路器设计的理想选择，还可用于 SMPS 和逆变器拓扑中的线路整流。
总体无铅
符合 RoHS 标准
更快的开关时间
易于可视化检查引线
最大程度减少导通损耗
更紧凑，更容易设计