Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=650 V, 52 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 273-2798
- 制造商零件编号:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 50 - 99 | RMB41.88 |
| 100 - 249 | RMB38.34 |
| 250 - 999 | RMB35.41 |
| 1000 + | RMB34.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2798
- 制造商零件编号:
- IPT60R045CFD7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | IPT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 79nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 272W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 IPT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 79nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 272W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一种 600V 的 CoolMOS CFD7 功率晶体管。CoolMOS 是一项用于高电压功率 MOSFET 的革命性技术，该项技术根据超结 (SJ) 原理设计，由 Infineon Technologies 首创。最新的 CoolMOS CFD7 是 CoolMOS CFD2 系列的后代产品，它是专为相移全桥和 LLC 等软开关应用而定制的优化平台。由于减少了栅极电荷、一流的反向恢复电荷和改进的关断行为，CoolMOSCFD7 在谐振拓扑中实现了最高效率。
符合 RoHS 标准
低栅极电荷
超快体二极管
功率密度更高的解决方案
出色的硬换向稳健性