Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 273-2806
- 制造商零件编号:
- IRF7351TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥34.77
(不含税)
¥39.29
(含税)
有库存
- 25 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB6.954 | RMB34.77 |
| 50 - 95 | RMB6.336 | RMB31.68 |
| 100 - 495 | RMB5.808 | RMB29.04 |
| 500 + | RMB5.198 | RMB25.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2806
- 制造商零件编号:
- IRF7351TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 17.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这款 Infineon MOSFET 是一种 60V N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET。这种 MOSFET 可用于低功率电机驱动系统和隔离式直流到直流转换器。
超低栅极阻抗
20V VGS 最大栅极额定值
完全特性化雪崩电压和电流