Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOSTM系列
- RS 库存编号:
- 273-2813
- 制造商零件编号:
- ISC011N03L5SATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-2813
- 制造商零件编号:
- ISC011N03L5SATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 系列 | OptiMOSTM | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 72nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
系列 OptiMOSTM | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，针对高性能降压转换器进行了优化。这款 MOSFET 符合 JEDEC 标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
极低导通电阻
卓越的耐热性
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