制造商编号

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOSTM系列

RS 库存编号:: 273-2814
制造商零件编号:: ISC011N03L5SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=30 V, Id=100 A, 8针, PG-TDSON-8, OptiMOSTM系列

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RS 库存编号:: 273-2814
制造商零件编号:: ISC011N03L5SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	PG-TDSON-8
	系列	OptiMOSTM
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.1mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	72nC
	最大功耗 Pd	96W
	正向电压 Vf	1V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 PG-TDSON-8
	系列 OptiMOSTM
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC
	最大功耗 Pd 96W
	正向电压 Vf 1V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - ISC011N03L5SATMA1

这款 Infineon MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，针对高性能降压转换器进行了优化。这款 MOSFET 符合 JEDEC 标准，也符合 IEC61249 2 21 无卤标准。

符合 RoHS 标准

无铅引线电镀

极低导通电阻

卓越的耐热性

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