Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=60 V, 399 A, sTOLL, 表面安装, 5引脚, IST系列
- RS 库存编号:
- 273-2820
- 制造商零件编号:
- IST011N06NM5AUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 件)*
¥35.23
(不含税)
¥39.81
(含税)
有库存
- 97 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB35.23 |
| 50 - 99 | RMB32.09 |
| 100 - 249 | RMB29.31 |
| 250 - 999 | RMB27.15 |
| 1000 + | RMB26.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2820
- 制造商零件编号:
- IST011N06NM5AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 399A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IST | |
| 包装类型 | sTOLL | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 399A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IST | ||
包装类型 sTOLL | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是 N 沟道 MOSFET,针对低压电机驱动应用和电池供电应用进行了优化。这款 MOSFET 符合 JEDEC 工业应用标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
100% 通过雪崩测试
实现自动光学焊料检测
