Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=-18.6 A, 3针, PG-TO252-3, SPD18P06P G系列
- RS 库存编号:
- 273-2831
- 制造商零件编号:
- SPD18P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 273-2831
- 制造商零件编号:
- SPD18P06PGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -18.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SPD18P06P G | |
| 包装类型 | PG-TO252-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 80W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.33V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 40mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 标准/认证 | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -18.6A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SPD18P06P G | ||
包装类型 PG-TO252-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 80W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.33V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 40mm | ||
长度 40mm | ||
标准/认证 IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这款 Infineon MOSFET 是 P 沟通增强模式 MOSFET。其工作温度为 175 摄氏度。此 MOSFET 符合 AEC Q101 标准。
符合 RoHS 标准
雪崩级
无铅引线电镀
相关链接
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -18.6 A, PG-TO252-3, 表面安装, 3引脚, SPD18P06P G系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 30 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD30P06PGBTMA1, SIPMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8.8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD08P06PGBTMA1, SIPMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD04P10PGBTMA1, SPD15P10P系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 15 A, TSDSON, 表面安装, 3引脚, SPD15P10PGBTMA1, SPD15P10P系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 30 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8.8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 15 A, TSDSON, 表面安装, 3引脚, SPD15P10P系列