Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 87 A, PG-TO-220 全封装, 通孔安装, 3引脚, IPA029N06NM5SXKSA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 273-2995
- 制造商零件编号:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2995
- 制造商零件编号:
- IPA029N06NM5SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 87A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TO-220 全封装 | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最大功耗 Pd | 38W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 87A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TO-220 全封装 | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最大功耗 Pd 38W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
TO-220 fullPAK 封装中的 Infineon 功率 MOSFET 具有更高的功率密度、更高的效率,带低 RDS 和更低的系统成本。TO-220 FullPAK 封装产品组合的功率 MOSFET 是同步整流的完美解决方案。
需要更少的并行
低电压过度跳闸
更少产生热量