Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 45 A, PG-TO263-3, 通孔安装, 3引脚, IPB057N06NATMA1, IPB057N06N系列
- RS 库存编号:
- 273-2997
- 制造商零件编号:
- IPB057N06NATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-2997
- 制造商零件编号:
- IPB057N06NATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TO263-3 | |
| 系列 | IPB057N06N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最低工作温度 | -5°C | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| 宽度 | 40 mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TO263-3 | ||
系列 IPB057N06N | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最低工作温度 -5°C | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
宽度 40 mm | ||
长度 40mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 经过优化,用于在开关模式电源 (SMPS) 中进行同步整流,例如在服务器、台式机和平板电脑充电器中发现的电源。此外,这些设备是广泛的工业应用的完美选择
最高系统效率
需要更少的并行
功率密度增加
降低系统成本