Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 6 A, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-3000
- 制造商零件编号:
- IPB65R660CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥29.27
(不含税)
¥33.076
(含税)
有库存
- 另外 1,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB14.635 | RMB29.27 |
| 50 - 98 | RMB12.13 | RMB24.26 |
| 100 - 248 | RMB9.655 | RMB19.31 |
| 250 - 498 | RMB8.96 | RMB17.92 |
| 500 + | RMB8.16 | RMB16.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3000
- 制造商零件编号:
- IPB65R660CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.66Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.66Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 650V 冷 MOS CFDA 超级接线 MOSFET 是 Infineon 第二代市场领先的汽车认证高电压冷 MOS 功率 MOSFET。除了自动化所需的高质量和可靠性的众所周知属性外,
减少 EMI 外观,易于设计
更好的轻负载效率
更低的切换损耗