Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 90 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, IPD048N06L3GATMA1, IPD系列

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RS 库存编号:
273-3001
制造商零件编号:
IPD048N06L3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

宽度

6.731 mm

高度

6.223mm

标准/认证

RoHS

长度

10.48mm

汽车标准

Infineon 功率 MOSFET 是开关模式电源中的同步整流的完美选择,例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外,这些设备可用于广泛的工业应用

最高系统效率

需要更少的并行

功率密度增加