Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 50 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 273-3003
- 制造商零件编号:
- IPD079N06L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计(1 卷,共 2500 件)*
¥9,837.50
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(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 + | RMB3.935 | RMB9,837.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3003
- 制造商零件编号:
- IPD079N06L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 功率 MOSFET 是开关模式电源中的同步整流的完美选择,例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外,这些设备可用于广泛的工业应用
最高系统效率
需要更少的并行
功率密度增加
需要更少的并行
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