Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 6.5 A, PG-TO252-3, 表面安装, 3引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-3006
- 制造商零件编号:
- IPD25DP06NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-3006
- 制造商零件编号:
- IPD25DP06NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PG-TO252-3 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 28W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PG-TO252-3 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.6nC | ||
最大功耗 Pd 28W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon P 通道 MOSFET 采用 DPAK 封装,代表针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。其易于接口到 MCU、快速切换以及浪涌的坚固性使其适合
易于接口到 MCU
由于 Qg 低,在低负载下提高效率
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