制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=4.3 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 273-3008
制造商零件编号:: IPD40DP06NMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=4.3 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 273-3008
制造商零件编号:: IPD40DP06NMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	4.3A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PG-TO252-3
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	400mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	19W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	6.7nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 4.3A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PG-TO252-3
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 400mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 19W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.7nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPD40DP06NMATMA1

Infineon P 通道 MOSFET 采用 DPAK 封装,代表针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。其易于接口到 MCU、快速切换以及浪涌的坚固性使其适合

易于接口到 MCU

由于 Qg 低,在低负载下提高效率

快速切换

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