Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 112 A, PG-TO262-3, 通孔安装, 3引脚, IPI076N15N5AKSA1, OptiMOSa5系列
- RS 库存编号:
- 273-3013
- 制造商零件编号:
- IPI076N15N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥1,021.75
(不含税)
¥1,154.60
(含税)
有库存
- 另外 450 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB20.435 | RMB1,021.75 |
| 100 + | RMB19.822 | RMB991.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3013
- 制造商零件编号:
- IPI076N15N5AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 112A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOSa5 | |
| 包装类型 | PG-TO262-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 112A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOSa5 | ||
包装类型 PG-TO262-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 特别适用于低电压驱动器,如叉车和电子摩托车,以及电信和太阳能应用。
更高的功率密度设计
更坚固的产品
降低系统成本