Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 36.23 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, IPP65R060CFD7XKSA1, IPP系列
- RS Stock No.:
- 273-3019
- Mfr. Part No.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
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- Mfr. Part No.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36.23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | IPP | |
| 包装类型 | PG-TO220-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 171W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36.23A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 IPP | ||
包装类型 PG-TO220-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 171W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS | ||
Infineon 650V 冷 MOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的共振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,在这些应用中,它可显著提高效率
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