Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 36.23 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, IPP65R060CFD7XKSA1, IPP系列
- RS 库存编号:
- 273-3019
- 制造商零件编号:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 管,共 50 件)*
¥1,311.30
(不含税)
¥1,481.75
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB26.226 | RMB1,311.30 |
| 100 + | RMB24.352 | RMB1,217.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3019
- 制造商零件编号:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36.23A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | IPP | |
| 包装类型 | PG-TO220-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 171W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36.23A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 IPP | ||
包装类型 PG-TO220-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 171W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS | ||
Infineon 650V 冷 MOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的共振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,在这些应用中,它可显著提高效率
出色的硬切换坚固性
额外的安全空间,用于带有增加总线电压的设计
启用更高的功率密度
