Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 36.23 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, IPP65R060CFD7XKSA1, IPP系列

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273-3019
制造商零件编号:
IPP65R060CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

36.23A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

IPP

包装类型

PG-TO220-3

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

60mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

171W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC, RoHS

Infineon 650V 冷 MOS CFD7 超级接线 MOSFET 采用 TO-220 封装,特别适用于工业应用中的共振拓扑,如服务器、电信、太阳能和 EV 充电站,在这些应用中,它可显著提高效率

出色的硬切换坚固性

额外的安全空间,用于带有增加总线电压的设计

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