Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 14 A, PG-TO220-3, 表面安装, 3引脚, IPP65R190CFD7A系列
- RS 库存编号:
- 273-3022
- 制造商零件编号:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.355 | RMB38.71 |
| 10 - 18 | RMB17.585 | RMB35.17 |
| 20 - 24 | RMB17.245 | RMB34.49 |
| 26 - 48 | RMB16.125 | RMB32.25 |
| 50 + | RMB14.88 | RMB29.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3022
- 制造商零件编号:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IPP65R190CFD7A | |
| 包装类型 | PG-TO220-3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 77W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AECQ101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IPP65R190CFD7A | ||
包装类型 PG-TO220-3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 77W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AECQ101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 650V 冷却 MOS N 通道汽车 SJ 功率 MOSFET。它在现场具有最高可靠性,可满足汽车寿命要求。
启用更高功率密度设计
提供粒状组合