制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, 3针, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A系列

RS 库存编号:: 273-3022
制造商零件编号:: IPP65R190CFD7AAKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, 3针, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A系列

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20 - 24	RMB22.275	RMB44.55
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* 参考价格

RS 库存编号:: 273-3022
制造商零件编号:: IPP65R190CFD7AAKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	14A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	IPP65R190CFD7A
	包装类型	PG-TO220-3
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	190mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	77W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	28nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	AECQ101, RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 14A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 IPP65R190CFD7A
	包装类型 PG-TO220-3
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 190mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 77W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 AECQ101, RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPP65R190CFD7AAKSA1

Infineon 650V 冷却 MOS N 通道汽车 SJ 功率 MOSFET。它在现场具有最高可靠性,可满足汽车寿命要求。

启用更高功率密度设计

提供粒状组合

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=14 A, 3针, PG-TO220-3, IPP65R190CFD7A系列

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