Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=950 V, Id=9 A, 3针, PG-TO251-3, IPU系列

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RS 库存编号:
273-3023
制造商零件编号:
IPU95R750P7AKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

950V

包装类型

PG-TO251-3

系列

IPU

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.75Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

73W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, JEDEC

汽车标准

否

Infineon 功率 MOSFET 设计用于满足高电压 MOSFET 领域的日益增长的消费者需求,最新 950V 凉爽 MOS P7 技术专注于低功率 SMPS 市场。集成二极管可大大提高 ESD 坚固性,从而减少

易于驱动和设计

通过减少 ESD 相关故障,提高生产效率

减少生产问题和减少现场回报

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