Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=950 V, 9 A, PG-TO251-3, 通孔安装, 3引脚, IPU95R750P7AKMA1, IPU系列
- RS 库存编号:
- 273-3023
- 制造商零件编号:
- IPU95R750P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 75 件）*
¥524.925
(不含税)
¥593.175
(含税)
有库存
- 另外 1,425 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB6.999 | RMB524.93 |
| 150 + | RMB6.859 | RMB514.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-3023
- 制造商零件编号:
- IPU95R750P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 包装类型 | PG-TO251-3 | |
| 系列 | IPU | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.75Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 73W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
包装类型 PG-TO251-3 | ||
系列 IPU | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.75Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 73W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 设计用于满足高电压 MOSFET 领域的日益增长的消费者需求,最新 950V 凉爽 MOS P7 技术专注于低功率 SMPS 市场。集成二极管可大大提高 ESD 坚固性,从而减少
易于驱动和设计
通过减少 ESD 相关故障,提高生产效率
减少生产问题和减少现场回报