Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, PG-TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW65R099CFD7AXKSA1, IPW系列

可享批量折扣

小计(1 管,共 30 件)*

¥819.66

(不含税)

¥926.22

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 210 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
30 - 30RMB27.322RMB819.66
60 +RMB26.775RMB803.25

* 参考价格

RS 库存编号:
273-3025
制造商零件编号:
IPW65R099CFD7AXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

24A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PG-TO-247

系列

IPW

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

99mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

127W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

53nC

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, AECQ101

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 650V 冷 MOS N 通道汽车 SJ 功率 MOSFET,采用 TO-247 封装。它在现场具有最高可靠性,可满足汽车寿命要求。

启用更高功率密度设计

提供粒状组合