Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 183 A, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 273-3032
- 制造商零件编号:
- IRFS7734TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRFS7734TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 183A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 270nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 290W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, Lead-Free | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 183A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 270nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 290W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, Lead-Free | ||
Infineon 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 在 D2-Pak 封装中经过优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性。
符合 JEDEC 标准的产品资格
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