Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 160 A, DirectFET, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 273-5220
- 制造商零件编号:
- AUIRF7759L2TR
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5220
- 制造商零件编号:
- AUIRF7759L2TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 160A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 160A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon 功率 MOSFET 设计用于效率和功率密度至关重要的应用。高级 DirectFET 封装平台与最新硅技术结合,可在 ICE、HEV 和 EV 平台上的电动机驱动、高频直流到直流和其他大负载应用中提供大量系统级节省和性能改进。此 MOSFET 使用最新的处理技术,可实现低接通电阻和每硅区域低 Qg。此 MOSFET 的附加功能是高重复峰值电流能力。这些功能结合在一起,使此 MOSFET 成为用于高电流汽车应用的高效、坚固且可靠的器件。
符合 RoHS 标准
双面冷却
高功率密度
汽车认证
低寄生参数
无铅和无卤素
先进的工艺技术