Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-14.9 A, 8针, PG-DSO-8, BSO080P03S H OptiMOSTM-P系列

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RS 库存编号:
273-5242
制造商零件编号:
BSO080P03SHXUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

-14.9A

最大漏源电压 Vd

-30V

系列

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

包装类型

PG-DSO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

-102nC

最大栅源电压 Vgs

25V

正向电压 Vf

-0.82V

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

长度

40mm

高度

1.5mm

宽度

40mm

标准/认证

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

汽车标准

否

Infineon MOSFET 是 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求，如导通电阻和优势特性等。工作温度为 150 摄氏度,符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。

逻辑级别

无卤素

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

增强模式

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