Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -14.9 A, PG-DSO-8, 表面安装, 8引脚, BSO080P03S H OptiMOSTM-P系列
- RS 库存编号:
- 273-5242
- 制造商零件编号:
- BSO080P03SHXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB12.158 | RMB60.79 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5242
- 制造商零件编号:
- BSO080P03SHXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -14.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| 包装类型 | PG-DSO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -0.82V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | -102nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 40 mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -14.9A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
包装类型 PG-DSO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -0.82V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs -102nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 40 mm | ||
长度 40mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 是 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求，如导通电阻和优势特性等。工作温度为 150 摄氏度,符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。
逻辑级别
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
增强模式