Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, 14.9 A, PG-DSO-8, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
273-5244
制造商零件编号:
BSO301SPHXUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

14.9A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

PG-DSO-8

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

136nC

最大功耗 Pd

2.5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

高度

1.5mm

长度

40mm

宽度

40 mm

汽车标准

Infineon MOSFET 是 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格(如状态电阻和优势特性数字)中的最高质量和性能要求。工作温度为 150 摄氏度,符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。

逻辑级别

无卤素

符合 RoHS 标准

Avalanche 额定值

无铅引线镀层

增强模式