制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=14.9 A, 8针, PG-DSO-8, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 273-5244
制造商零件编号:: BSO301SPHXUMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=14.9 A, 8针, PG-DSO-8, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 273-5244
制造商零件编号:: BSO301SPHXUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	14.9A
	最大漏源电压 Vd	-30V
	系列	OptiMOS
	包装类型	PG-DSO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	8mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	2.5W
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	136nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	宽度	40mm
	长度	40mm
	高度	1.5mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 14.9A
	最大漏源电压 Vd -30V
	系列 OptiMOS
	包装类型 PG-DSO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 8mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 2.5W
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 136nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	宽度 40mm
	长度 40mm
	高度 1.5mm
	汽车标准否

Datasheet - BSO301SPHXUMA1

Infineon MOSFET 是 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格(如状态电阻和优势特性数字)中的最高质量和性能要求。工作温度为 150 摄氏度,符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。

逻辑级别

无卤素

符合 RoHS 标准

Avalanche 额定值

无铅引线镀层

增强模式

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