Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 106 A, PG-TSDSON-8FL, 表面安装, 8引脚, BSZ0902NSATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 273-5247
- 制造商零件编号:
- BSZ0902NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥14,530.00
(不含税)
¥16,420.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年2月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB2.906 | RMB14,530.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5247
- 制造商零件编号:
- BSZ0902NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 106A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8FL | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 106A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8FL | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 是 N 通道功率 MOSFET。此 MOSFET 具有出色的门充电。它符合 JEDEC 标准,适用于目标应用,且经过 100% 风暴测试。它经过优化,用于高性能降压转换器。
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
非常低的接通电阻
卓越的耐热性