Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 11.3 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, BSZ12DN20NS3GATMA1, BSZ12DN20NS3 G系列
- RS 库存编号:
- 273-5249
- 制造商零件编号:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5249
- 制造商零件编号:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | BSZ12DN20NS3 G | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 40 mm | |
| 长度 | 40mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11.3A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 BSZ12DN20NS3 G | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.5nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 40 mm | ||
长度 40mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 是 N 通道功率 MOSFET。此 MOSFET 具有出色的门充电。它符合 JEDEC 标准,适用于目标应用,工作温度为 150 摄氏度。它经过优化,用于直流到直流转换。
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
非常低的接通电阻