Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 10 A, PG-VSON-4, 表面安装, 4引脚, IPL65R230C7AUMA1, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 273-5349
- 制造商零件编号:
- IPL65R230C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
小计(1 卷,共 3000 件)*
¥27,006.00
(不含税)
¥30,516.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月24日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB9.002 | RMB27,006.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5349
- 制造商零件编号:
- IPL65R230C7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 包装类型 | PG-VSON-4 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.23Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 67W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC(J-STD20 andJESD22) | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
包装类型 PG-VSON-4 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.23Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 67W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC(J-STD20 andJESD22) | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 采用 CoolMOSTM 革命性技术构建,用于高电压功率 MOSFET。它根据超级接头原理设计,由 Infineon Technologies 开创。CoolMOSTM C7 系列将领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与高等级创新相结合。该产品组合提供快速切换超接线 MOSFET 的所有优点,提供更好的效率、降低门充电、易于实施和出色的可靠性。
无卤素
更好的效率
无铅引线镀层
高功率密度
更好地控制门
