Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=313 A, 8针, PG-HSOF-8, IPT系列

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273-5352
制造商零件编号:
IPT012N06NATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

313A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PG-HSOF-8

系列

IPT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

106nC

最大功耗 Pd

214W

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

汽车标准

否

Infineon 功率 MOSFET 经过优化,适用于高电流应用,如叉车、轻型电动车辆、POL 和电信。此封装是高功率应用的完美解决方案,需要最高效率、出色的 EMI 行为以及最佳热行为和减少空间。它符合 JEDEC1 标准,适用于目标应用。

无卤素

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

卓越的耐热性

100% 风暴测试

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