Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 313 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 273-5352
- 制造商零件编号:
- IPT012N06NATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 273-5352
- 制造商零件编号:
- IPT012N06NATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 313A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 106nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 313A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 106nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 经过优化,适用于高电流应用,如叉车、轻型电动车辆、POL 和电信。此封装是高功率应用的完美解决方案,需要最高效率、出色的 EMI 行为以及最佳热行为和减少空间。它符合 JEDEC1 标准,适用于目标应用。
无卤素
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
卓越的耐热性
100% 风暴测试