制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.8 A, 3针, PG-SC-59, BSR202N系列

RS 库存编号:: 273-7311
Distrelec 货号:: 304-41-650
制造商零件编号:: BSR202NL6327HTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=3.8 A, 3针, PG-SC-59, BSR202N系列

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单位	每单位	每包*
25 - 25	RMB4.123	RMB103.08
50 - 75	RMB4.04	RMB101.00
100 - 225	RMB3.779	RMB94.48
250 - 975	RMB3.487	RMB87.18
1000 +	RMB3.415	RMB85.38

* 参考价格

RS 库存编号:: 273-7311
Distrelec 货号:: 304-41-650
制造商零件编号:: BSR202NL6327HTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3.8A
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	BSR202N
	包装类型	PG-SC-59
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	33mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.8nC
	正向电压 Vf	800mV
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	1.3mm
	宽度	900μm
	高度	800μm
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3.8A
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 BSR202N
	包装类型 PG-SC-59
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 33mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 12V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.8nC
	正向电压 Vf 800mV
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 1.3mm
	宽度 900μm
	高度 800μm
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - BSR202NL6327HTSA1

这种 Infineon MOSFET 是一种 N 沟道小信号 MOSFET，采用众所周知的行业标准封装，满足并超越了最高质量要求。这些元件具有无与伦比的可靠性和制造能力，是 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制等各种应用的理想之选。

符合 RoHS 标准

雪崩级

无铅引线电镀

增强模式

符合 AEC Q101 标准

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