Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 3.8 A, PG-SC-59, 表面安装, 3引脚, BSR202N系列
- RS 库存编号:
- 273-7311
- Distrelec 货号:
- 304-41-650
- 制造商零件编号:
- BSR202NL6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.672 | RMB91.80 |
| 50 - 75 | RMB3.599 | RMB89.98 |
| 100 - 225 | RMB3.366 | RMB84.15 |
| 250 - 975 | RMB3.106 | RMB77.65 |
| 1000 + | RMB3.042 | RMB76.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7311
- Distrelec 货号:
- 304-41-650
- 制造商零件编号:
- BSR202NL6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PG-SC-59 | |
| 系列 | BSR202N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 1.3mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.8A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PG-SC-59 | ||
系列 BSR202N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 1.3mm | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这种 Infineon MOSFET 是一种 N 沟道小信号 MOSFET，采用众所周知的行业标准封装，满足并超越了最高质量要求。这些元件具有无与伦比的可靠性和制造能力，是 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制等各种应用的理想之选。
符合 RoHS 标准
雪崩级
无铅引线电镀
增强模式
符合 AEC Q101 标准