Infineon 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOSTM P7系列
- RS 库存编号:
- 273-7459
- 制造商零件编号:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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| 10 - 18 | RMB12.81 | RMB25.62 |
| 20 - 98 | RMB12.53 | RMB25.06 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7459
- 制造商零件编号:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PG-TO-220 | |
| 系列 | CoolMOSTM P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.18Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大功耗 Pd | 26W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PG-TO-220 | ||
系列 CoolMOSTM P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.18Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最大功耗 Pd 26W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 第七代 Cool MOS 平台 MOSFET 是一种具有革命意义的高电压功率 MOSFET 技术，它根据超结原理设计，由 Infineon Technologies 司首创。600V Cool MOS P7 系列是 Cool MOS P6 系列的后续产品。它将快速开关 SJ MOSFET 的优点与出色的易用性相结合，实现了极低的振铃趋势、出色的体二极管抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗，使得应用更加高效、紧凑和低温。
使用简便
出色的 ESD 稳健性
简化热管理
显著减少开关
适用于硬开关和软开关