Infineon 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 16 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOSTMPFD7系列
- RS 库存编号:
- 273-7461
- 制造商零件编号:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB14.245 | RMB28.49 |
| 10 - 18 | RMB11.88 | RMB23.76 |
| 20 - 98 | RMB11.645 | RMB23.29 |
| 100 - 248 | RMB9.525 | RMB19.05 |
| 250 + | RMB8.72 | RMB17.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7461
- 制造商零件编号:
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 16A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO-220 | |
| 系列 | CoolMOSTMPFD7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 210mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 16A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO-220 | ||
系列 CoolMOSTMPFD7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 210mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这种 Infineon MOSFET 为高电压功率 MOSFET 提供 Cool MOS 革命性技术。它根据超结原理设计，由 Infineon Technologies 公司首创。最新的 Cool MOS PFD7 是一个优化平台，专门针对充电器、适配器、电机驱动、照明等消费市场中对成本敏感的应用而定制。新系列有着快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时具备出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，助力客户实现超薄设计。
快速体二极管
极低损耗
低开关损坏 Eoss
出色的热性能
出色的换向耐用性