制造商编号

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-TM3系列

RS 库存编号:: 273-7467
制造商零件编号:: IPP086N10N3GXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-TM3系列

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RS 库存编号:: 273-7467
制造商零件编号:: IPP086N10N3GXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	80A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PG-TO-220
	系列	OptiMOS-TM3
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	通道模式	N
	正向电压 Vf	1V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	42nC
	最大功耗 Pd	125W
	最高工作温度	175°C
	高度	1.5mm
	长度	40mm
	标准/认证	IEC61249-2-21, JEDEC1
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 80A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PG-TO-220
	系列 OptiMOS-TM3
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	通道模式 N
	正向电压 Vf 1V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC
	最大功耗 Pd 125W
	最高工作温度 175°C
	高度 1.5mm
	长度 40mm
	标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC1
	汽车标准否

Datasheet - IPP086N10N3GXKSA1

这种 Infineon MOSFET 是高频开关和同步整流的理想选择。该 MOSFET 经认证符合 JEDEC1 标准，适合于目标应用。它是一款 N 沟道 MOSFET，符合 IEC61249 2 21 标准且无卤。

无铅引线电镀

符合 RoHS 标准

出色的栅极电荷

极低导通电阻

Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-TM3系列

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