Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, PG-TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-TM3系列
- RS 库存编号:
- 273-7467
- 制造商零件编号:
- IPP086N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB15.945 | RMB31.89 |
| 10 - 18 | RMB14.345 | RMB28.69 |
| 20 - 98 | RMB14.08 | RMB28.16 |
| 100 - 248 | RMB11.52 | RMB23.04 |
| 250 + | RMB10.19 | RMB20.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7467
- 制造商零件编号:
- IPP086N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PG-TO-220 | |
| 系列 | OptiMOS-TM3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 40mm | |
| 宽度 | 40 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PG-TO-220 | ||
系列 OptiMOS-TM3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 40mm | ||
宽度 40 mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
汽车标准 否 | ||
这种 Infineon MOSFET 是高频开关和同步整流的理想选择。该 MOSFET 经认证符合 JEDEC1 标准，适合于目标应用。它是一款 N 沟道 MOSFET，符合 IEC61249 2 21 标准且无卤。
无铅引线电镀
符合 RoHS 标准
出色的栅极电荷
极低导通电阻