Infineon MOSFET, Vds=800 V, 4 A, PG-TO251-3, 通孔安装, 3引脚, 800V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 273-7471
- 制造商零件编号:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
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| 25 - 45 | RMB5.056 | RMB25.28 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-7471
- 制造商零件编号:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | PG-TO251-3 | |
| 系列 | 800V CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 32W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 PG-TO251-3 | ||
系列 800V CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 32W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这种 Infineon MOSFET 可减少 ESD 相关故障，从而提高生产良率。这款 MOSFET 减少了生产问题，降低了现场返修率，并且易于选择合适的部件对设计进行微调。它能实现更高的功率密度设计，节省 BOM 并降低装配成本。
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