Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -18.7 A, PG-TO252-3, 表面安装, 3引脚, SPP18P06PHXKSA1, SPP18P06P-H系列

可享批量折扣

小计(1 管,共 50 件)*

¥353.30

(不含税)

¥399.25

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 450 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
50 - 50RMB7.066RMB353.30
100 +RMB5.653RMB282.65

* 参考价格

RS 库存编号:
273-7552
制造商零件编号:
SPP18P06PHXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-18.7A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SPP18P06P-H

包装类型

PG-TO252-3

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.13Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.33V

最大栅源电压 Vgs

8 V

最大功耗 Pd

81.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS

宽度

40 mm

高度

1.5mm

长度

40mm

汽车标准

AEC-Q101

这种 Infineon MOSFET 是一种 P 通道小型信号 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求,如导通电阻和优势特性等。它符合 IEC61249 2 21 标准且无卤。

符合 RoHS 标准

雪崩级

增强模式

无铅引线表面

符合 AEC Q101 标准