STMicroelectronics N型沟道 增强型, Vds=750 V, 25 A, PowerFLAT (5 x 6) HV, 表面安装, 4引脚, SGT65R65AL
- RS 库存编号:
- 275-1318
- 制造商零件编号:
- SGT65R65AL
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- SGT65R65AL
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 增强模式功率 GaN 晶体管结合成熟的封装技术。由此产生的 G-HEMT 器件具备极低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性，可实现高功率密度与无与伦比的能效表现。
极高的开关速度
高功率管理能力
电容极低
开尔文源极焊盘，可实现理想的栅极驱动
零反向恢复电荷