STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, 92 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚, STW65N023M9-4, STW系列
- RS 库存编号:
- 275-1381
- 制造商零件编号:
- STW65N023M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 275-1381
- 制造商零件编号:
- STW65N023M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 92A | |
| 包装类型 | TO-247-4 | |
| 系列 | STW | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 463W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 230nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 高度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 92A | ||
包装类型 TO-247-4 | ||
系列 STW | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 463W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 230nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 15.8 mm | ||
高度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超接合 MDmesh M9 技术,适用于每个区域具有非常低的 RDS(on) 的中高电压 MOSFET。基于硅的 M9 技术受益于多排水制造过程,可实现增强的设备结构。由此产生的产品具有所有基于硅的快速切换超接线功率 MOSFET 中最低的接通电阻和降低门路充电值之一,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
出色的开关性能
易于驱动
100% 风暴测试