STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Id=56 A, 3针, TO-247, STW系列

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包装方式：
RS 库存编号:
275-1384
制造商零件编号:
STWA60N043DM9
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

56A

包装类型

TO-247

系列

STW

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

43mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

312W

正向电压 Vf

1.6V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

78.6nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超级接线 MDmesh DM9 技术,适用于中或高电压 MOSFET,每个区域具有非常低的 RDS(on),配合快速恢复二极管。基于硅的 DM9 技术受益于多排水制造过程,可实现增强的设备结构。

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