STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, 56 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, STWA60N043DM9, STW系列
- RS 库存编号:
- 275-1384P
- 制造商零件编号:
- STWA60N043DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- 制造商零件编号:
- STWA60N043DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 56A | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | STW | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 43mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 312W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 56A | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 STW | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 43mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 312W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78.6nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 基于最具创新性的超级接线 MDmesh DM9 技术,适用于中或高电压 MOSFET,每个区域具有非常低的 RDS(on),配合快速恢复二极管。基于硅的 DM9 技术受益于多排水制造过程,可实现增强的设备结构。
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基于硅的快速恢复设备中,每个区域的全球最佳 RDS
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