Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.9 A, US, 表面安装, 6引脚, SI1480BDH-T1-GE3, SI系列

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包装方式:
RS 库存编号:
279-9891
制造商零件编号:
SI1480BDH-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.9A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

US

系列

SI

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.212Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.7W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Vishay MOSFET 是 N 通道 MOSFET,其中的晶体管由称为硅的材料制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

完全无铅 (Pb) 的器件