Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.9 A, 6针, US, SI系列
- RS 库存编号:
- 279-9891P
- 制造商零件编号:
- SI1480BDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB2.973 |
| 100 - 225 | RMB2.703 |
| 250 - 975 | RMB2.646 |
| 1000 + | RMB2.596 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9891P
- 制造商零件编号:
- SI1480BDH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SI | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.212Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.9A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SI | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.212Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是 N 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
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