Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 34 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB150N60E-GE3, SIHB系列
- RS 库存编号:
- 279-9905
- 制造商零件编号:
- SIHB150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB59.02
(不含税)
RMB66.70
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB29.51 | RMB59.02 |
| 10 - 28 | RMB28.895 | RMB57.79 |
| 30 - 98 | RMB28.295 | RMB56.59 |
| 100 + | RMB26.66 | RMB53.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9905
- 制造商零件编号:
- SIHB150N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SIHB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.084Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 184W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SIHB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.084Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 184W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET E 系列功率 MOSFET 中的晶体管由硅制成。
第 4 代 E 系列技术
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容
雪崩能效等级
减少开关和传导损耗