Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 21 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 279-9911
- 制造商零件编号:
- SIHG155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB24.643 | RMB616.08 |
| 100 + | RMB21.905 | RMB547.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9911
- 制造商零件编号:
- SIHG155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 硅 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
搭载快速体二极管的 Vishay MOSFET E 系列功率 MOSFET 中的晶体管由硅制成。
第 4 代 E 系列技术
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容
雪崩能效等级
减少开关和传导损耗
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容
雪崩能效等级
减少开关和传导损耗