Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG155N60EF-GE3, SIHG系列

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RS 库存编号:
279-9912
制造商零件编号:
SIHG155N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SIHG

包装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.159Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

179W

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

15.7mm

汽车标准

搭载快速体二极管的 Vishay MOSFET E 系列功率 MOSFET 中的晶体管由硅制成。

第 4 代 E 系列技术

低品质因数(FOM)Ron x Qg

低有效电容

雪崩能效等级

减少开关和传导损耗