Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG155N60EF-GE3, SIHG系列
- RS 库存编号:
- 279-9912P
- 制造商零件编号:
- SIHG155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 279-9912P
- 制造商零件编号:
- SIHG155N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SIHG | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.159Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SIHG | ||
包装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.159Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIHG系列MOSFET,600 V最大漏源电压,21 A最大连续漏电流 - SIHG155N60EF-GE3
这款 n 通道 MOSFET 是一款高电压开关晶体管,专为工业和电子系统中的功率转换和控制任务而设计。它适用于需要稳健雪崩和热处理的电源组件上的通孔安装。该设备可在宽温度范围内工作,适用于要求大功率吞吐量和栅极驱动灵活性的应用。
特性和优点：
• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 21 A 连续漏电流支持持久负载运行 • 0.159Ω Rds(on)可减少接通状态下的传导损耗 • 179W 功耗,可实现更高的热负载能力 • 38nC 栅极电荷有助于实现可预测的开关行为 • 30V 栅极容差可为栅极电路提供宽松的驱动空间
应用
• 适用于电源中的高电压直流-直流转换器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于自动化设备的开关模式电源 • 可用于需要通孔组件的阀门或电磁阀驱动电路 • 用于实验室和测试架中的离散功率级
热管理需要哪些安装注意事项?
使用合适的额定电子散热器连接到封装安装面,并确保气流或热接口材料,以保持接点温度在安全范围内。
该设备在高环境温度下的行为如何?
它专为在宽温度范围内运行而设计,随着接线温度接近其最大额定限值,将需要降低允许的电流和功耗。
哪种栅极驱动器布置适合快速切换?
建议使用能够供电和供电电流的栅极驱动器,以达到指定的栅极充电转换时间,同时遵守 30 V 栅极-源限制。
是否考虑高频切换损耗?
开关损耗与频率和栅极电荷引起的转换能量相比,从而最大限度地减少转换持续时间,并在高开关速率下运行时管理散热。