Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH155N60EF-T1GE3, SIHH系列

RS 库存编号:: 279-9915
制造商零件编号:: SIHH155N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH155N60EF-T1GE3, SIHH系列

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB70,683.00

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单位	每单位	每卷*
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RS 库存编号:: 279-9915
制造商零件编号:: SIHH155N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	SIHH
	包装类型	PowerPAK 8 x 8
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	0.159Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	38nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	156W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	8mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 SIHH
	包装类型 PowerPAK 8 x 8
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 0.159Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 156W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 8mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHH155N60EF-T1GE3

Vishay SIHH系列MOSFET,600 V漏源电压,18 A连续漏电流 - SIHH155N60EF-T1GE3

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关晶体管,专为工业系统中的表面贴装电源应用而设计。它可用作增强模式设备,用于需要高排放源电压能力和适度电流处理的开关和放大任务。该组件采用紧凑型 PowerPAK 封装,适用于密集组件和热管理。

特性和优点：

• 600 V 漏源额定值可实现高电压切换
• 18 A 连续漏电流支持大负载电流
• 0.159Ω Rds(on)可减少负载下的传导损耗
• 156W 功耗,可实现高功率操作
• 38nC 典型栅极电荷确保可预测的驱动要求
• 150°C 最高工作温度可耐受高接线负载

应用

• 适用于高压电机驱动开关级
• 特别适用于工业用品中的SMPS初级侧开关
• 用于电源管理模块中的交流-直流转换
• 可用于自动化设备的电感负载切换

设计散热片时的热限制是什么?

该设备的最高工作温度为150°C,总功耗为156W

热布局应考虑封装热阻,并确保足够的PCB铜或散热片,以保持接线温度在限值范围内。

快速切换需要考虑哪些栅极驱动因素?

指定的栅极驱动器时,典型栅极电荷为 38nC

选择能够在所需的开关时间内提供所需电荷的驱动器,同时遵守 30V 的最大栅极-源电压。

该设备在极端低温条件下的行为如何?

它的额定工作温度低至-55°C,因此材料和焊接工艺必须适应该范围内的热循环。

PCB 布局是否考虑安装或针数?

该组件为表面贴装 PowerPAK,带四个引脚

应设计 PCB 封装和热通道,以匹配封装的电气和热性能。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 4引脚, SIHH155N60EF-T1GE3, SIHH系列