Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK155N60EF-T1GE3, SIHK系列

RS 库存编号:: 279-9918
制造商零件编号:: SIHK155N60EF-T1GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK155N60EF-T1GE3, SIHK系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	PowerPAK 10 x 12
	系列	SIHK
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.159Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	±30 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	38nC
	最大功耗 Pd	156W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	9.9mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 PowerPAK 10 x 12
	系列 SIHK
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.159Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs ±30 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC
	最大功耗 Pd 156W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 9.9mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK155N60EF-T1GE3, SIHK系列

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 18 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK155N60EF-T1GE3, SIHK系列