Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 19 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK155N60E-T1-GE3, SIHK系列
- RS 库存编号:
- 279-9920
- 制造商零件编号:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 279-9920
- 制造商零件编号:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.158Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 9.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.158Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 9.9mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIHK系列MOSFET,600 V漏源电压,19 A连续漏电流 - SIHK155N60E-T1-GE3
此 MOSFET 是高电压增强模式 N 通道开关晶体管,设计用于表面贴装功率转换和控制应用。它适用于需要在高电压下进行强大的排放到源阻断,同时在宽温度范围内工作的电路。
特性和优点：
• 600 V 排放源额定值可实现高电压设计 • 19 A 连续漏电流支持大负载电流 • 0.158Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗 • 36nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能 • 156W 功耗可实现持久热处理 • 最高工作温度为150°C,可耐受高热应力
应用
• 适用于电源中的离线 SMPS 主开关 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于自动化系统中的高压直流-直流转换器 • 可用于电动驱动器中的逆变器输出级开关 • 用于机械控制设备的开关模式负载
在放置电路板时,我应该考虑哪种封装?
该设备采用 8 引脚 PowerPAK10x12 表面贴装封装,需要与该热垫和引线排列兼容的封装。
控制电路的栅极电压范围是多少?
最大允许的栅极到源极电压为 30 V,因此驱动器电路应在该限值范围内保持栅极偏移。
它在负载下的热性能如何?
它可耗散高达 156W
热管理必须确保接点与环境温度保持在限值范围内,以实现高达 150°C 的可靠运行。
是否有环境或法规设计考虑因素?
它符合RoHS标准,可用于限制有害物质的设计。
哪些开关特性会影响驱动器选择?
在额定栅极电压下,典型栅极电荷为 36nC,可确定所需的驱动电流和开关速度妥协。