Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 47 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP054N65E-GE3, SIHP系列
- RS 库存编号:
- 279-9922P
- 制造商零件编号:
- SIHP054N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SIHP054N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | SIHP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.058Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 312W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 47A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 SIHP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.058Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 312W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIHP 系列 MOSFET,650 V 最大漏源电压,47 A 最大连续漏电流 - SIHP054N65E-GE3
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关晶体管,专为工业电子系统中的功率转换和控制而设计。它可在宽温度范围内工作,并采用通孔 TO‐220AB 封装,可在需要大功率处理的组件中实现稳固安装和直接散热。
特性和优点：
• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 47 A 连续电流支持重负载操作 • 0.058Ω 低导通电阻可减少传导损耗 • 312W 功耗可实现大量热处理 • 108nC 典型栅极电荷允许可预测的开关行为 • 30V 栅极容差确保与标准栅极驱动器兼容
应用
• 适用于高电压电源中的SMPS主开关 • 适用于工业电机驱动前端阶段 • 用于主电源设备的功率因数校正电路 • 可用于可再生能源系统中的变频器级别
用于PCB和底盘集成的安装方式是什么?
该设备采用通孔 TO‐220AB 封装,带三个引脚,支持螺栓式散热器连接和传统焊接印刷电路板安装。
该设备在高温环境中的性能如何?
它的特点是可在高达150°C的温度下工作,允许在具有适当热管理的高接点温度设计中使用。
在切换过程中,我应该允许哪些栅极驱动因素?
典型栅极电荷为 108 nC,栅极驱动器尺寸必须考虑开关能量和转换速度,以管理开关损耗和EMI。
该设备的安全栅极电压工作限值是多少?
最大允许的栅极到源极电压为 30 V,因此栅极驱动电路必须在此限值范围内,以防止设备压力。