Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP074N65E-GE3, SIHP系列

RS 库存编号:: 279-9923
制造商零件编号:: SIHP074N65E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP074N65E-GE3, SIHP系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	35A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	SIHP
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.078Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	250W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 35A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 SIHP
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.078Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 250W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHP074N65E-GE3

Vishay SIHP 系列 MOSFET,650 V 最大漏源电压,35 A 最大连续漏电流 - SIHP074N65E-GE3

此 n 通道增强型 MOSFET 设计用于切换和控制工业和电子系统中的高电压、高电流电路。它适用于通孔安装,为需要稳健电压处理和耐热性的分立式功率级提供紧凑型电源半导体解决方案。该设备可在宽环境范围内工作,适用于要求较高工作温度和大量连续电流能力的应用。

特性和优点：

• 650 V 漏电压可实现高电压开关应用
• 35A 连续电流支持大功率输出
• 0.078Ω 导通电阻可最大限度减少传导损耗
• 250W 功耗,便于处理更高的负载
• 8nC 典型栅极电荷,可实现更快的开关响应
• 30V 栅极容差可保护栅极免受常见驱动水平影响

应用

• 适用于高压电机驱动前端
• 适用于工业设备中的开关模式电源
• 用于电源转换系统中的逆变器级
• 可用于自动化面板中的电子负载开关
• 适用于浪涌抑制器和缓冲器网络实施

它需要哪种安装方式来实现 PCB 集成?

它采用通孔 TO‐220AB 封装,可实现牢固的机械连接和高效的散热器连接到底盘或散热器板上。

它在高温环境中的性能如何?

它的额定工作温度高达150°C,可在密集的电源组件中支持热位置。

开关设计的典型栅极驱动需求是多少?

在标准栅极驱动水平下,预期典型栅极电荷为 8nC,为栅极驱动电流和开关能量计算提供信息。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP074N65E-GE3, SIHP系列

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